是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | CHIP CARRIER, R-MBCC-N3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 1 week |
风险等级: | 5.82 | 雪崩能效等级(Eas): | 100 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (ID): | 11 A |
最大漏源导通电阻: | 0.011 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-MBCC-N3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 188 A |
表面贴装: | YES | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSF134N10NJ3 G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS? 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
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BSF134N10NJ3G | INFINEON |
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n-Channel Power MOSFET |
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BSF450NE7NH3 | INFINEON |
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Material Content Data Sheet |
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BSF450NE7NH3_15 | INFINEON |
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Material Content Data Sheet |
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BSF-C100 | MINI |
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Band Stop Filter |
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BSF-C100+ | MINI |
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BSF-C125 | MINI |
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BSF-C125+ | MINI |
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BSF-C140 | MINI |
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BSF-C140+ | MINI |
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