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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-MBCC-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.81 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 30 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 53 A | 最大漏极电流 (ID)： | 13 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0142 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-MBCC-N3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 36 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 212 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSF-108+ | MINI |
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Band Reject Filter, 98MHz, ROHS COMPLIANT, CASE HF1139-8 |
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| BSF110N06NT3G | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSF110N06NT3GXUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSF134N10NJ3 G | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌的 100V OptiMOS? 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
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| BSF134N10NJ3G | INFINEON |
获取价格 |
n-Channel Power MOSFET |
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| BSF450NE7NH3 | INFINEON |
获取价格 |
Material Content Data Sheet |
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| BSF450NE7NH3_15 | INFINEON |
获取价格 |
Material Content Data Sheet |
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| BSF-C100 | MINI |
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Band Stop Filter |
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| BSF-C100+ | MINI |
获取价格 |
Band Stop Filter |
|
| BSF-C125 | MINI |
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Band Stop Filter |
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