是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | CHIP CARRIER, R-MBCC-N2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.83 | 雪崩能效等级(Eas): | 30 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 25 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 50 A |
最大漏极电流 (ID): | 14 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0142 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-MBCC-N2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 28 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 200 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSF077N06NT3G | INFINEON |
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n-Channel Power MOSFET |
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BSF083N03LQG | INFINEON |
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OptiMOS2 Power-MOSFET |
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BSF-108+ | MINI |
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Band Reject Filter, 98MHz, ROHS COMPLIANT, CASE HF1139-8 |
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BSF110N06NT3G | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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BSF110N06NT3GXUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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BSF134N10NJ3 G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS? 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
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BSF134N10NJ3G | INFINEON |
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n-Channel Power MOSFET |
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BSF450NE7NH3 | INFINEON |
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Material Content Data Sheet |
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BSF450NE7NH3_15 | INFINEON |
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Material Content Data Sheet |
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BSF-C100 | MINI |
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Band Stop Filter |
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