5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > BSC900N20NS3G
BSC900N20NS3G PDF预览

BSC900N20NS3G

更新时间： 2024-11-13 12:50:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 536K
描述
OptiMOSTM3 Power-Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

BSC900N20NS3G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, PLASTIC, TDSON-8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
雪崩能效等级（Eas）：100 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：15.2 A最大漏极电流 (ID)：15.2 A
最大漏源导通电阻：0.09 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F5湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：62.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：61 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSC900N20NS3G 数据手册

 浏览型号BSC900N20NS3G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSC900N20NS3G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSC900N20NS3G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSC900N20NS3G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSC900N20NS3G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSC900N20NS3G的Datasheet PDF文件第7页 
BSC900N20NS3 G  
$(*'#$%TM3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
VDS  
200  
90  
V
9 ꢀ /2*, *7&% '.0 % $ ꢁ% $ $ .- 4&01*.-  
9 ꢂ ꢁ$ )" - - &+ꢃ - .0, " + +&4&+  
RDS(on),max  
ID  
m#  
A
15.2  
9 ꢄ 6$ &++&- 2 (" 2& $ )" 0(& 6 R DS(on) product (FOM)  
9 ꢅ .5 .- ꢁ0&1*12" - $ & R DS(on)  
PG-TDSON-8  
9 ꢆ ꢇ ꢈ 8ꢉ ./&0" 2*- ( 2&, /&0" 230&  
9 ꢊ # ꢁ'0&& +&" % /+" 2*- (ꢋ ꢌ .ꢍ   $ ., /+*" - 2  
9 ꢎ 3" +*'*&% " $ $ .0% *- ( 2. ꢏ ꢄ ꢐ ꢄ ꢉ 1) for target application  
9 ꢍ " +.(&- ꢁ'0&& " $ $ .0% *- ( 2. ꢑꢄ ꢉ ꢒ ꢆ ꢓ ꢔ ꢕ ꢁꢓ ꢁꢓ ꢆ  
Type  
Package  
Marking  
BSC900N20NS3 G  
PG-TDSON-8  
900N20NS  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
15.2  
10.7  
A
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
61  
I D=7.6 A, R GS=25 #  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
100  
mJ  
V
V GS  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
62.5  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 150  
55/150/56  
1)J-STD20 and JESD22  
2) see figure 3  
Rev. 2.1  
page 1  
2010-09-01  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与BSC900N20NS3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSC9131CJN1KHKB NXP

获取价格

 		IC RISC PROCESSOR, Microprocessor
BSC9131CLE1KHHB NXP

获取价格

 		IC RISC PROCESSOR, Microprocessor
BSC9131CLE1KHKB NXP

获取价格

 		IC RISC PROCESSOR, Microprocessor
BSC9131CLN1HHHB NXP

获取价格

 		IC RISC PROCESSOR, Microprocessor
BSC9131CLN1HHKB NXP

获取价格

 		IC RISC PROCESSOR, Microprocessor
BSC9131CLN1KHKB NXP

获取价格

 		IC RISC PROCESSOR, Microprocessor
BSC9131CSN1KHHB NXP

获取价格

 		IC RISC PROCESSOR, Microprocessor
BSC9131CXE1KHHB NXP

获取价格

 		RISC PROCESSOR
BSC9131CXN1HHKB NXP

获取价格

 		IC RISC PROCESSOR, Microprocessor
BSC9131CXN1KHKB NXP

获取价格

 		IC RISC PROCESSOR, Microprocessor

与BSC900N20NS3G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证