是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | LFBGA, BGA48,6X8,30 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 70 ns | 备用内存宽度: | 8 |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 |
JESD-609代码: | e1 | 长度: | 8 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 48 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64KX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LFBGA | 封装等效代码: | BGA48,6X8,30 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.4 mm |
最大待机电流: | 3e-7 A | 最小待机电流: | 1.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.02 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag3.8Cu0.7) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.75 mm | 端子位置: | BOTTOM |
宽度: | 6 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BS616LV1013ACP70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit | |
BS616LV1013AI | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit | |
BS616LV1013AI70 | BSI |
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Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | |
BS616LV1013AI-70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit | |
BS616LV1013AIG70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit | |
BS616LV1013AIP70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit | |
BS616LV1013EC | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit | |
BS616LV1013EC70 | BSI |
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Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | |
BS616LV1013EC-70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit | |
BS616LV1013ECG70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit |