BR5010-G

更新时间： 2024-02-20 01:46:54

品牌	Logo	应用领域
上华 - COMCHIP		整流二极管桥式整流二极管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	84K
描述
Silicon Bridge Rectifiers

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BR5010-G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	S-PUFM-W4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最小击穿电压：	1000 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.1 V
JESD-30 代码：	S-PUFM-W4	最大非重复峰值正向电流：	400 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	50 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
参考标准：	TS 16949	最大重复峰值反向电压：	1000 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BR5010-G 数据手册

Silicon Bridge Rectifiers

Rating and Characteristics Curves (BR10005-G Thru. BR5010-G Series)

Fig.2 - Typical Forward Characteristics

Fig.1 - Derating Curve Output

Rectified Current

BR35/50

BR15

BR25

BR10

100

BR50

BR35

BR25

1.0

BR15

BR10

0.1

0.01

100

150

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

Temperature,(°C)

Instantaneous Forward Voltage, (V)

Fig.3 - Maximum Forward Surge Current

Fig.4 - Typical Reverse Characteristics

10.0

600

500

400

300

200

BR50

1.0

0.1

BR25/35

BR15

BR10

100

0.01

100

80 100 120 140

Number Of Cycles At 60 HZ

Percent of Rated Peak Reverse Voltage, (V)

REV: A

Page 2

QW-BBR78

Comchip Technology CO., LTD.

123

中文翻译

下载PDF

与BR5010-G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BR5010GW	HY	获取价格	Rectifier Diode,
BR5010GW	EIC	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 50A, 1000V V(RRM),
BR5010L	HY	获取价格	暂无描述
BR5010L	YANGJIE	获取价格	BR-L
BR5010L-G	COMCHIP	获取价格	Silicon Bridge Rectifiers
BR5010W	EIC	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
BR5010W	HY	获取价格	Bridge Rectifier Diode
BR5010W	DCCOM	获取价格	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
BR5012	ETC	获取价格	Glass Passivated Single Phase Bridge Rectifiers
BR5012	GOOD-ARK	获取价格	标准整流桥