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BR5010W

更新时间： 2024-02-24 14:39:19

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描述
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER

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BR5010W 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	S-PUFM-W4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最小击穿电压：	1000 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.1 V
JESD-30 代码：	S-PUFM-W4	最大非重复峰值正向电流：	400 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	50 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
参考标准：	TS 16949	最大重复峰值反向电压：	1000 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BR5010W 数据手册

BR5005W

THRU

DC COMPONENTS CO., LTD.

RECTIFIER SPECIALISTS

BR5010W

TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER

VOLTAGE RANGE - 50 to 1000 Volts

CURRENT - 50 Amperes

FEATURES

* Plastic case with heatsink for Maximum Heat Dissipation

* Surge overload ratings-400 Amperes

* Low forward voltage drop

BR-25W

METAL HEAT SINK

TYP

MECHANICAL DATA

* Case: Molded plastic with heatsink

* Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant

* Lead: MIL-STD-202E, Method 208 guaranteed

* Polarity: As marked

* Mounting position: Any

* Weight: 30 grams

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ^oC ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Dimensions in inches and (millimeters)

BR5005W BR501W BR502W BR504W BR506W BR508W BR5010W

SYMBOL

UNITS

Volts

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Bridge Input Voltage

RRM

RMS

100

200

140

400

280

600

420

800

560

1000

700

Volts

Maximum DC Blocking Voltage

100

200

400

600

800

1000

Volts

Maximum Average Forward Rectified Output Current at Tc = 55^oC

Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC Method)

Amps

FSM

400

Amps

Volts

1.1

Maximum Forward Voltage Drop per element at 25A DC

= 25^oC

Maximum DC Reverse Current at Rated

uAmps

DC Blocking Voltage per element

I²t Rating for Fusing (t<8.3ms)

= 100^oC

500

I²t

664

300

2.0

A²Sec

⁰C/W

Typical Junction Capacitance ( Note1)

Typical Thermal Resistance (Note 2)

Operating and Storage Temperature Range

RθJ C

STG

-55 to + 150

⁰C

NOTES : 1.Measured at 1 MH

Z and applied reverse voltage of 4.0 volts

2. Thermal Resistance from Junction to Case per leg.

258

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