BR5002GW

更新时间： 2024-11-18 13:05:59

品牌	Logo	应用领域
EIC		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	68K
描述
Bridge Rectifier Diode, 50A, 200V V(RRM),

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BR5002GW 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.78
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	最大非重复峰值正向电流：	400 A
元件数量：	4	最大输出电流：	50 A
最大重复峰值反向电压：	200 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

BR5002GW 数据手册

ELECTRONICS INDUSTRY (USA) CO., LTD.

103 MOO 4, LATKRABANG EXPORT PROCESSING ZONE, LATKRABANG, BANGKOK 10520, THAILAND

TEL. : (66 2) 326-0102, 739-4580 FAX. : (66 2) 326-0933 E-mail : eicfirst @ iname.com http. : // www.eicsemi.com

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

BR5000 - BR5010

BR50

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 50 Amperes

0.728(18.50)

0.688(17.40)

FEATURES :

0.570(14.50)

0.530(13.40)

1.130(28.70)

0.685(16.70)

0.618(15.70)

* High case dielectric strength

* High surge current capability

* High reliability

1.120(28.40)

* High efficiency

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

0.210(5.30)

0.200(5.10)

0.658(16.70)

0.618(15.70)

0.032(0.81)

0.028(0.71)

0.252(6.40)

0.248(6.30)

MECHANICAL DATA :

0.100(2.50)

0.090(2.30)

0.905(23.0)

* Case : Molded plastic with heatsink integrally

mounted in the bridge encapsulation

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Terminals : plated .25" (6.35 mm). Faston

* Polarity : Polarity symbols marked on case

* Mounting position : Bolt down on heat-sink with

silicone thermal compound between bridge

and mounting surface for maximum heat

transfer efficiency.

0.826(21.0)

0.310(7.87)

0.280(7.11)

Metal Heatsink

Dimensions in inches and ( millimeters )

* Weight : 17.1 grams

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

SYMBOL

BR5000

BR5001

BR5002

BR5004

BR5006

BR5008

BR5010

RATING

UNIT

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

VRRM

VRMS

VDC

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

Volts

Maximum DC Blocking Voltage

100

1000

Volts

IF(AV)

Amps.

Maximum Average Forward Current Tc = 55°C

Peak Forward Surge Current Single half sine wave

Superimposed on rated load (JEDEC Method)

Current Squared Time at t < 8.3 ms.

IFSM

I²t

500

Amps.

A²S

660

1.1

Maximum Forward Voltage per Diode at IF=25 Amp.

Volts

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

Typical Thermal Resistance (Note 1)

Ta = 25 °C

IR(H)

200

Ta = 100 °C

1.0

°C/W

°C

RqJC

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

- 40 to + 150

TSTG

°C

Notes :

1 ) Thermal resistance from Junction to Case with units mounted on a 9"x5"x4.6" (22.9x12.7x11.7 cm) Al-Finned Heatsink.

UPDATE : JUNE 2, 1999

中文翻译

下载PDF

与BR5002GW相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BR5002L	YANGJIE	获取价格	BR-L
BR5002W	EIC	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
BR5002W	HY	获取价格	Bridge Rectifier Diode,
BR5004	SYNSEMI	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
BR5004	SECOS	获取价格	AMP Silicon Bridge Rectifiers
BR5004	EDAL	获取价格	Silicon Bridge Rectifiers 50 Amps
BR5004	EIC	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
BR5004	HY	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
BR5004	GOOD-ARK	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
BR5004	LGE	获取价格	普通整流桥

与BR5002GW相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BR5002GW

BR5002GW 技术参数

BR5002GW 数据手册

与BR5002GW相关器件

与BR5002GW相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BR5002GW

BR5002GW 技术参数

BR5002GW 数据手册

与BR5002GW相关器件

与BR5002GW相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？