BR5002GW

更新时间： 2024-01-01 01:18:12

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EIC		二极管
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描述
Bridge Rectifier Diode, 50A, 200V V(RRM),

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BR5002GW 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	S-PUFM-W4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.66
其他特性：	UL RECOGNIZED	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	S-PUFM-W4	最大非重复峰值正向电流：	500 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	50 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	200 V	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BR5002GW 数据手册

ELECTRONICS INDUSTRY (USA) CO., LTD.

103 MOO 4, LATKRABANG EXPORT PROCESSING ZONE, LATKRABANG, BANGKOK 10520, THAILAND

TEL. : (66 2) 326-0102, 739-4580 FAX. : (66 2) 326-0933 E-mail : eicfirst @ iname.com http. : // www.eicsemi.com

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

BR5000 - BR5010

BR50

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 50 Amperes

0.728(18.50)

0.688(17.40)

FEATURES :

0.570(14.50)

0.530(13.40)

1.130(28.70)

0.685(16.70)

0.618(15.70)

* High case dielectric strength

* High surge current capability

* High reliability

1.120(28.40)

* High efficiency

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

0.210(5.30)

0.200(5.10)

0.658(16.70)

0.618(15.70)

0.032(0.81)

0.028(0.71)

0.252(6.40)

0.248(6.30)

MECHANICAL DATA :

0.100(2.50)

0.090(2.30)

0.905(23.0)

* Case : Molded plastic with heatsink integrally

mounted in the bridge encapsulation

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Terminals : plated .25" (6.35 mm). Faston

* Polarity : Polarity symbols marked on case

* Mounting position : Bolt down on heat-sink with

silicone thermal compound between bridge

and mounting surface for maximum heat

transfer efficiency.

0.826(21.0)

0.310(7.87)

0.280(7.11)

Metal Heatsink

Dimensions in inches and ( millimeters )

* Weight : 17.1 grams

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

SYMBOL

BR5000

BR5001

BR5002

BR5004

BR5006

BR5008

BR5010

RATING

UNIT

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

VRRM

VRMS

VDC

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

Volts

Maximum DC Blocking Voltage

100

1000

Volts

IF(AV)

Amps.

Maximum Average Forward Current Tc = 55°C

Peak Forward Surge Current Single half sine wave

Superimposed on rated load (JEDEC Method)

Current Squared Time at t < 8.3 ms.

IFSM

I²t

500

Amps.

A²S

660

1.1

Maximum Forward Voltage per Diode at IF=25 Amp.

Volts

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

Typical Thermal Resistance (Note 1)

Ta = 25 °C

IR(H)

200

Ta = 100 °C

1.0

°C/W

°C

RqJC

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

- 40 to + 150

TSTG

°C

Notes :

1 ) Thermal resistance from Junction to Case with units mounted on a 9"x5"x4.6" (22.9x12.7x11.7 cm) Al-Finned Heatsink.

UPDATE : JUNE 2, 1999

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BR5002L	YANGJIE	获取价格	BR-L
BR5002W	EIC	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
BR5002W	HY	获取价格	Bridge Rectifier Diode,
BR5004	SYNSEMI	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
BR5004	SECOS	获取价格	AMP Silicon Bridge Rectifiers
BR5004	EDAL	获取价格	Silicon Bridge Rectifiers 50 Amps
BR5004	EIC	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
BR5004	HY	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
BR5004	GOOD-ARK	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
BR5004	LGE	获取价格	普通整流桥

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