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BR3510M

更新时间： 2024-11-13 03:22:35
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EIC 整流二极管桥式整流二极管局域网
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2页 58K
描述
SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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BR3510M 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：S-MUFM-D4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.78Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY最小击穿电压：1000 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：S-MUFM-D4
最大非重复峰值正向电流：400 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：35 A封装主体材料：METAL
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：1000 V
表面贴装：NO端子形式：SOLDER LUG
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BR3510M 数据手册

 浏览型号BR3510M的Datasheet PDF文件第2页 
SILICON BRIDGE RECTIFIERS  
BR3500M - BR3510M  
BR50  
PRV : 50 - 1000 Volts  
Io : 35 Amperes  
0.728(18.50)  
0.688(17.40)  
FEATURES :  
* High current capability  
* High surge current capability  
* High reliability  
1.130(28.70)  
1.120(28.40)  
0.570(14.50)  
0.530(13.40)  
0.685(16.70)  
0.618(15.70)  
* Low reverse current  
* Low forward voltage drop  
* Pb / RoHS Free  
0.210(5.30)  
0.200(5.10)  
0.658(16.70)  
0.618(15.70)  
0.032(0.81)  
0.028(0.71)  
0.252(6.40)  
0.248(6.30)  
f
MECHANICAL DATA :  
* Case : Metal Case  
0.100(2.50)  
0.090(2.30)  
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant  
* Terminals : plated .25" (6.35 mm). Faston  
* Polarity : Polarity symbols marked on case  
* Mounting position : Bolt down on heat-sink with  
silicone thermal compound between bridge  
and mounting surface for maximum heat  
transfer efficiency.  
0.905(23.0)  
0.826(21.0)  
0.310(7.87)  
0.280(7.11)  
Metal Heatsink  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
* Weight : 17.1 grams  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
BR3500 BR3501 BR3502 BR3504 BR3506 BR3508 BR3510  
SYMBOL  
RATING  
UNIT  
M
M
M
M
M
M
M
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
35  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
VRRM  
VRMS  
VDC  
V
V
V
A
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
1000  
IF(AV)  
Maximum Average Forward Current Tc = 55°C  
Peak Forward Surge Current Single half sine wave  
Superimposed on rated load (JEDEC Method)  
Current Squared Time at t < 8.3 ms.  
400  
IFSM  
A
I2t  
VF  
A2S  
V
660  
1.1  
Maximum Forward Voltage per Diode at IF = 17.5 A  
10  
200  
IR  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
Typical Thermal Resistance (Note 1)  
Ta = 25 °C  
mA  
mA  
°C/W  
°C  
IR(H)  
Ta = 100 °C  
1.5  
RqJC  
RqJA  
TJ  
Typical Thermal Resistance at Junction to Ambient  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
10  
- 40 to + 150  
- 40 to + 150  
°C  
TSTG  
°C  
Notes :  
1. Thermal Resistance from junction to case with units mounted on a 7.5" x 3.5" x 4.6" (19cm.x 9cm.x 11.8cm.) Al.-Finned Plate  
Page 1 of 2 Rev. 02 : March 24, 2005  
12

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