BR3510W

更新时间： 2024-11-12 22:39:39

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SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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BR3510W 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	S-PUFM-W4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.82
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最小击穿电压：	1000 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	JESD-30 代码：	S-PUFM-W4
最大非重复峰值正向电流：	400 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	35 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
参考标准：	TS 16949	最大重复峰值反向电压：	1000 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	UPPER

BR3510W 数据手册

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

BR50W

BR3500W - BR3510W

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 35 Amperes

0.732 (18.6)

0.692 (17.5)

FEATURES :

* High current capability

* High surge current capability

* High reliability

1.130 (28.7)

0.470 (11.9)

1.120 (28.4)

0.430 (10.9)

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

* High case dielectric strength

0.21 (5.3)

0.20 (5.1)

MECHANICAL DATA :

* Case : Molded plastic with heatsink integrally

mounted in the bridge encapsulation

0.042 (1.06)

0.038 (0.96)

1.2 (30.5)

MIN.

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Terminals : Plated lead solderable per

MIL-STD-202, Method 208 guaranteed

0.310 (7.87)

0.280(7.11)

* Polarity : Polarity symbols marked on case

* Mounting position : Bolt down on heat-sink

with silicone thermal compound between

bridge and mounting surface for maximum

heat transfer efficiency

Dimensions in inches and ( millimeters )

* Weight : 15.95 grams

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

RATING

SYMBOL

UNITS

3500W 3501W 3502W 3504W 3506W 3508W 3510W

VRRM

VRMS

VDC

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

Volts

Amp.

Maximum DC Blocking Voltage

100

1000

IF(AV)

Maximum Average Forward Current Tc = 55 C

Peak Forward Surge Current Single half sine wave

Superimposed on rated load (JEDEC Method)

Current Squared Time at t < 8.3 ms.

Maximum Forward Voltage per Diode at IF = 17.5 Amps.

IFSM

I²t

400

Amp.

A²S

660

1.1

Volts

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

Ta = 25 C

IR(H)

200

Ta = 100 C

Typical Thermal Resistance at Junction to Case ( Note 1 )

Typical Thermal Resistance at Junction to Ambient

Operating Junction Temperature Range

1.5

R JC

C/W

RqJA

- 40 to + 150

Storage Temperature Range

TSTG

Notes :

1. Thermal Resistance from junction to case with units mounted on a 7.5" x 3.5" x 4.6" (19cm.x 9cm.x 11.8cm.) Al.-Finned Plate

UPDATE : APRIL 21, 1998

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