是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | S-PUFM-D4 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.67 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
最小击穿电压: | 800 V | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | BRIDGE RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.1 V |
JESD-30 代码: | S-PUFM-D4 | 最大非重复峰值正向电流: | 400 A |
元件数量: | 4 | 相数: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 最大输出电流: | 35 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
参考标准: | TS 16949 | 最大重复峰值反向电压: | 800 V |
子类别: | Bridge Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BR3508G | HY |
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Rectifier Diode, | |
BR3508-G | COMCHIP |
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Silicon Bridge Rectifiers | |
BR3508GW | HY |
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Rectifier Diode, | |
BR3508GW | EIC |
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Bridge Rectifier Diode, 35A, 800V V(RRM), | |
BR3508L | YANGJIE |
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Bridge Rectifier Diode, 35A, 800V V(RRM), | |
BR3508M | EIC |
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SILICON BRIDGE RECTIFIERS | |
BR3508W | BL Galaxy Electrical |
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SILICON BRIDGE RECTIFIERS | |
BR3508W | EIC |
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SILICON BRIDGE RECTIFIERS | |
BR3508W | HY |
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Bridge Rectifier Diode | |
BR351 | PINGWEI |
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SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |