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BR25H640FJ-2ACE2

更新时间： 2024-01-18 13:14:54

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罗姆 - ROHM		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
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Operation SPI BUS EEPROM

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BR25H640FJ-2ACE2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	4.90 X 6 MM, 1.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, SOP-8	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	15 weeks	风险等级：	1.72
其他特性：	SEATED HT-CALCULATED	最大时钟频率 (fCLK)：	5 MHz
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	长度：	4.9 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	筛选级别：	AEC-Q100
座面最大高度：	1.65 mm	串行总线类型：	SPI
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	4 ms	Base Number Matches：	1

BR25H640FJ-2ACE2 数据手册

Datasheet

Serial EEPROM Series Automotive EEPROM

125°C Operation SPI BUS EEPROM

BR25H640-2AC

General Description

BR25H640-2AC is a 64Kbit Serial EEPROM of SPI BUS interface method.

Features

Packages W(Typ) x D(Typ) x H(Max)

■ SPI BUS interface (CPOL, CPHA)=(0,0), (1,1)

■ Voltage Range

: 2.5V to 5.5V

: -40°C to +125°C

: 10MHz(Max)

: 4ms(Max)

■ Operating Range

■ Clock Frequency

■ Write Time

■ Page Size

: 32bytes

■ Bit Format

: 8192 x 8bit

MSOP8

TSSOP-B8

■ 32bytes Write Lockable Identification Page (ID Page)

■ Address Auto Increment Function at Read Operation

■ Auto Erase and Auto End Function at Data Rewrite

■ Write Protect Block Setting by Software

Memory Array 1/4, 1/2, Whole

2.90mm x 4.00mm x 0.90mm 3.00mm x 6.40mm x 1.20mm

■ HOLD Function by HOLDB Pin

■ Low Supply Current

Write Operation (5V) : 1.0mA (Typ)

Read Operation (5V) : 1.2mA (Typ)

Standby State(5V)

■ Prevention of Write Mistake

Write prohibition at Power On

: 0.1μA (Typ)

SOP8

5.00mm x 6.20mm x 1.71mm 4.90mm x 6.00mm x 1.65mm

SOP-J8

Write prohibition by WPB Pin

Write prohibition Block Setting

Prevention of Write Mistake at Low Voltage

■ Write Cycles

: 1,000,000 Write Cycles (Ta≤85°C)

500,000 Write Cycles (Ta≤105°C)

300,000 Write Cycles (Ta≤125°C)

■ Data Retention : 100 Years (Ta≤25°C)

: 60 Years (Ta≤105°C)

: 50 Years (Ta≤125°C)

■ Data at Shipment

Memory Array

ID Page

：FFh

：2Fh, 00h, 0Dh

：FFh

First 3 Addresses

Other Addresses

Status Register WPEN, BP1, BP0 ：0, 0, 0

Lock Status LS ：0

■ MSOP8, TSSOP-B8, SOP8, SOP-J8 Packages

■ AEC-Q100 Qualified

〇Product structure : Silicon monolithic integrated circuit 〇This product has no designed protection against radioactive rays

www.rohm.com

TSZ22111・14・001

TSZ02201-0R1R0G100210-1-2

16.Feb.2016 Rev.002

1/36

12 3 4 5 6 7...40

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与BR25H640FJ-2ACE2相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BR25H640FJ-2C	ROHM	BR25H640-2C是SPI BUS接口方式的串行EEPROM。	获取价格
BR25H640FJ-2CE2	ROHM	Serial EEPROM Series Automotive EEPROM	获取价格
BR25H640FJ-5AC	ROHM	BR25H640xxx-5AC Series是SPI BUS接口的64k位串行EEPROM	获取价格
BR25H640FJ-WE2	ROHM	EEPROM, 8KX8, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, SOP-8	获取价格
BR25H640FVJ-WE2	ROHM	High Reliability Serial EEPROMs SPI BUS Serial EEPROMs	获取价格
BR25H640FVJ-WTR	ROHM	High Reliability Serial EEPROMs SPI BUS Serial EEPROMs	获取价格

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