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BR25L010FVJ-W

更新时间： 2024-09-30 23:13:15

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罗姆 - ROHM		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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6页	337K
描述
SPI BUS 1Kbit (128 x 8bit) EEPROM

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BR25L010FVJ-W 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	TSSOP,	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.78
Is Samacsys：	N	最大时钟频率 (fCLK)：	5 MHz
JESD-30 代码：	S-PDSO-G8	JESD-609代码：	e2
长度：	3 mm	内存密度：	1024 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	128 words	字数代码：	128
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128X8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.05 mm
串行总线类型：	SPI	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
宽度：	3 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BR25L010FVJ-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Serial EEPROMs SPI BUS Serial EEPROMs
BR25L010FVJ-WTR	ROHM	获取价格	High Reliability Serial EEPROMs SPI BUS Serial EEPROMs
BR25L010FVM-W	ROHM	获取价格	SPI BUS 1Kbit (128 x 8bit) EEPROM
BR25L010FVM-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Serial EEPROMs SPI BUS Serial EEPROMs
BR25L010FVM-WTL	ROHM	获取价格	EEPROM Card, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8,
BR25L010FVM-WTR	ROHM	获取价格	EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, MSOP-8
BR25L010FVT-W	ROHM	获取价格	SPI BUS 1Kbit (128 x 8bit) EEPROM
BR25L010FVT-WE2	ROHM	获取价格	EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, TSSOP-8
BR25L010FV-W	ROHM	获取价格	SPI BUS 1Kbit (128 x 8bit) EEPROM
BR25L010FV-WE2	ROHM	获取价格	High Reliability Serial EEPROMs SPI BUS Serial EEPROMs