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BR25H640F-WE2

更新时间: 2024-10-02 00:40:51
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罗姆 - ROHM 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 577K
描述
High Reliability Serial EEPROMs SPI BUS Serial EEPROMs

BR25H640F-WE2 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:LEAD FREE, SOP-8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.75
最大时钟频率 (fCLK):5 MHzJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3/e2长度:5 mm
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:8字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
组织:8KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LSOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, LOW PROFILE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.6 mm串行总线类型:SPI
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):1.8 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:TIN/TIN COPPER端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10宽度:4.4 mm
最长写入周期时间 (tWC):5 msBase Number Matches:1

BR25H640F-WE2 数据手册

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Rcaflga_jꢀLmrc  
High Reliability Serial EEPROMs  
SPI BUS Serial EEPROMs  
BR25□□□□family  
BR25L010-W series, BR25L020-W series, BR25L040-W series, BR25L080-W series,  
BR25L160-W series, BR25L320-W series, BR25L640-W series  
Lm,ꢀ/.../C@R.3  
Description  
BR25LŜŜŜ-W series is a serial EEPROM of SPI BUS interface method.  
Features  
·
·
·
·
·
·
·
·
·
Page write  
Number of  
pages  
·
·
16 Byte  
32 Byte  
BR25L080-W  
BR25L160-W  
BR25L320-W  
BR25L640-W  
BR25L010-W  
BR25L020-W  
BR25L040-W  
Product  
number  
·
·
·
·
*1 BR25L080/160-W : SOP8, SOP-J8, SSOP-B8, TSSOP-B8  
*2 BR25L320/640-W : SOP8, SOP-J8  
BR25L series  
Power source  
voltage  
SOP8  
F
SOP-J8  
FJ  
SSOP-B8 TSSOP-B8  
MSOP8 TSSOP-B8J  
Capacity  
1Kbit  
Bit format  
128 X 8  
256 X 8  
512 X 8  
1K X 8  
Type  
FVT  
FV  
FVM  
FVJ  
BR25L010-W  
BR25L020-W  
BR25L040-W  
BR25L080-W  
1.8 ~ 5.5V  
1.8 ~ 5.5V  
1.8 ~ 5.5V  
1.8 ~ 5.5V  
2Kbit  
4Kbit  
8Kbit  
16Kbit  
32Kbit  
64Kbit  
2K X 8  
4K X 8  
8K X 8  
BR25L160-W  
BR25L320-W  
BR25L640-W  
1.8 ~ 5.5V  
1.8 ~ 5.5V  
1.8 ~ 5.5V  
www.rohm.com  
© 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2010.07 - Rev. B  
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