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BR25L020FJ-WE2 PDF预览

BR25L020FJ-WE2

更新时间： 2024-10-01 12:56:19
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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17页 2513K
描述
High Reliability Serial EEPROMs SPI BUS Serial EEPROMs

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BR25L020FJ-WE2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：8.01
Is Samacsys：N最大时钟频率 (fCLK)：5 MHz
数据保留时间-最小值：40耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e2
长度：4.9 mm内存密度：2048 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：8
字数：256 words字数代码：256
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256X8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.65 mm
串行总线类型：SPI最大待机电流：0.000002 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
宽度：3.9 mm最长写入周期时间 (tWC)：5 ms
写保护：HARDWAREBase Number Matches：1

BR25L020FJ-WE2 数据手册

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TECHNICAL NOTE  
High Reliability Series Serial EEPROM Series  
SPI BUS Serial EEPROMs  
Supply voltage 1.8V~5.5V  
Operating temperature –40°C~+85°C type  
BR25L010-W, BR25L020-W, BR25L040-W, BR25L080-W, BR25L160-W, BR25L320-W, BR25L640-W  
Description  
●
BR25L□□□-W series is a serial EEPROM of SPI BUS interface method.  
Features  
● High speed clock action up to 5MHz (Max.)  
● Wait function by HOLD terminal  
● Part or whole of memory arrays settable as read only memory area by program  
● 1.8 ~ 5.5V single power source action most suitable for battery use  
● Page write mode useful for initial value write at factory shipment  
● Highly reliable connection by Au pad and Au wire  
● For SPI bus interface (CPOL, CPHA) = (0, 0), (1, 1)  
● Auto erase and auto end function at data rewrite  
● Low current consumption  
At write action (5V)  
At read action (5V)  
At standby action (5V) : 0.1μA (Typ.)  
: 1.5mA (Typ.)  
: 1.0mA (Typ.)  
Page write  
Number of  
pages  
● Address auto increment function at read action  
● Write mistake prevention function  
16 Byte  
32 Byte  
BR25L080-W  
BR25L160-W  
BR25L320-W  
BR25L640-W  
Write prohibition at power on  
Write prohibition by command code (WRDI)  
Write prohibition by WP pin  
BR25L010-W  
BR25L020-W  
BR25L040-W  
Product  
number  
Write prohibition block setting by status registers (BP1, BP0)  
Write mistake prevention function at low voltage  
● SOP8, SOP-J8, SSOP-B8, TSSOP-B8, MSOP8 TSSOP-B8J package *1 *2  
● Data at shipment Memory array : FFh, status register WPEN, BP1, BP0 : 0  
● Data kept for 40 years  
● Data rewrite up to 1,000,000 times  
*1 BR25L080/160-W : SOP8, SOP-J8, SSOP-B8, TSSOP-B8  
*2 BR25L320/640-W : SOP8, SOP-J8  
BR25L series  
Power source  
voltage  
SOP8  
F
SOP-J8  
FJ  
SSOP-B8 TSSOP-B8  
MSOP8 TSSOP-B8J  
Capacity  
1Kbit  
Bit format  
128 X 8  
256 X 8  
512 X 8  
1K X 8  
Type  
FVT  
FV  
FVM  
FVJ  
BR25L010-W  
BR25L020-W  
BR25L040-W  
BR25L080-W  
1.8 ~ 5.5V  
1.8 ~ 5.5V  
1.8 ~ 5.5V  
1.8 ~ 5.5V  
2Kbit  
4Kbit  
8Kbit  
16Kbit  
32Kbit  
64Kbit  
2K X 8  
4K X 8  
8K X 8  
BR25L160-W  
BR25L320-W  
BR25L640-W  
1.8 ~ 5.5V  
1.8 ~ 5.5V  
1.8 ~ 5.5V  
Oct. 2008  
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BR25L020FJ-WE2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BR25L020F-WE2 ROHM

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 High Reliability Serial EEPROMs SPI BUS Serial EEPROMs

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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