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BR25L010-W

更新时间: 2024-09-30 23:16:23
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罗姆 - ROHM 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
6页 337K
描述
SPI BUS 1Kbit (128 x 8bit) EEPROM

BR25L010-W 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP-8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.28
Is Samacsys:N最大时钟频率 (fCLK):5 MHz
数据保留时间-最小值:40耐久性:1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDIP-T8JESD-609代码:e3/e2
长度:9.3 mm内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:8
字数:128 words字数代码:128
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128X8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP8,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:2/5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.7 mm
串行总线类型:SPI最大待机电流:0.000002 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.003 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):1.8 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN/TIN COPPER端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10宽度:7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC):5 ms写保护:HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches:1

BR25L010-W 数据手册

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