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BR25H020FVT-WE2 PDF预览

BR25H020FVT-WE2

更新时间： 2024-01-11 20:51:25
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 1138K
描述
EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, TSSOP-8

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BR25H020FVT-WE2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：LEAD FREE, TSSOP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.6
最大时钟频率 (fCLK)：5 MHzJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3/e2长度：4.4 mm
内存密度：2048 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：8字数：256 words
字数代码：256工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256X8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LSSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.25 mm串行总线类型：SPI
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：TIN/TIN COPPER端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10宽度：3 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 msBase Number Matches：1

BR25H020FVT-WE2 数据手册

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Pin assignment and description  
Terminal name Input/output  
Function  
Power source to be connected  
VCC  
–
VCC  
HOLD SCK  
SI  
GND  
CS  
SCK  
SI  
–
Input  
All input / output reference voltage, 0V  
Chip select input  
BR25L010-W  
BR25L020-W  
BR25L040-W  
BR25L080-W  
BR25L160-W  
BR25L320-W  
BR25L640-W  
Input  
Input  
Serial clock input  
Start bit, ope code, address, and serial data input  
SO  
Output Serial data output  
Hold input  
Input  
HOLD  
Command communications may be suspended temporarily (HOLD status).  
Write protect input  
Write command is prohibited.*1  
Write status register command is prohibited.  
WP  
Input  
CS  
SO  
WP  
GND  
Fig. 2 Pin assignment diagram  
*1:BR25L010/020/040-W  
Sync data input / output timing  
Operating timing characteristics  
(Ta = -40 ~ +85˚C, unless otherwise specified, load capacity CL1 100pF)  
tCS  
tCSS  
1.8≤VCC<2.5V  
2.5≤VCC<5.5V  
CS  
Parameter  
Symbol  
Unit  
tSCKS  
Min. Typ. Max. Min. Typ. Max.  
tRC  
tFC  
tSCKWL  
tSCKWH  
SCK frequency  
SCK high time  
SCK low time  
CS high time  
fSCK  
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
2
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
5
–
–
–
–
–
–
–
–
MHz  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
SCK  
tDIS tDIH  
tSCKWH 200  
tSCKWL 200  
85  
85  
85  
90  
85  
90  
90  
20  
40  
–
SI  
tCS  
tCSS  
tCSH  
tSCKS  
tSCKH  
tDIS  
200  
200  
200  
200  
200  
40  
High-Z  
SO  
CS setup time  
CS hold time  
Fig. 3 Input timing  
SI is taken into IC inside in sync with data rise edge of SCK. Input  
address and data from the most significant bit MSB.  
SCK setup time  
SCK hold time  
SI setup time  
SI hold time  
tCS  
tDIH  
50  
–
150  
–
70  
CS  
tSCKH  
tCSH  
Data output delay time 1  
tPD1  
–
Data output delay time 2  
(CL2=30pF)  
SCK  
SI  
tPD2  
–
–
145  
–
–
55  
ns  
Output hold time  
tOH  
tOZ  
0
–
–
–
–
250  
0
–
–
–
–
100  
ns  
ns  
tPD  
tOZ  
tRO,tFO  
tOH  
High-Z  
Output disable time  
SO  
HOLD setting  
setup time  
tHFS  
tHFH  
tHRS  
tHRH  
tHOZ  
tHPD  
tRC  
120  
90  
120  
140  
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
60  
40  
60  
70  
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
µs  
µs  
ns  
Fig. 4 Input / output timing  
HOLD setting  
hold time  
SO is output in sync with data fall edge of SCK. Data is output  
from the most significant bit MSB.  
HOLD release  
setup time  
"H"  
–
–
CS  
"L"  
tHFS tHFH  
tHRS tHRH  
HOLD release  
hold time  
–
–
SCK  
SI  
tDIS  
Time from HOLD  
to output High-Z  
n+1  
n
n-1  
250  
150  
1
100  
70  
1
tHOZ  
Dn  
tHPD  
Dn  
High-Z  
SO  
Dn+1  
Dn-1  
Time from HOLD  
to output change  
–
–
HOLD  
*1  
SCK  
rise time  
–
–
Fig. 5 HOLD timing  
*1  
SCK  
fall time  
tFC  
–
1
–
1
*1  
OUTPUT  
rise time  
tRO  
–
100  
–
50  
*1  
OUTPUT  
fall time  
tFO  
–
–
–
–
100  
5
–
–
–
–
50  
5
ns  
Write time  
tE/W  
ms  
*1NOT 100% TESTED  
AC measurement conditions  
Parameter  
Limits  
Symbol  
Unit  
Min. Typ. Max.  
Load capacity 1  
Load capacity 2  
Input rise time  
CL1  
CL2  
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
100  
30  
pF  
pF  
ns  
ns  
V
50  
Input fall time  
50  
Input voltage  
0.2VCC/0.8VCC  
0.3VCC/0.7VCC  
Input / output judgment voltage  
–
V
3/16  
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与BR25H020FVT-WE2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BR25H020FV-WE2 ROHM

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 		High Reliability Serial EEPROMs SPI BUS Serial EEPROMs
BR25H020F-W ROHM

获取价格

 		HIGH GRADE Specification HIGH RELIABILITY ser
BR25H020F-WC ROHM

获取价格

 		EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, SOP-8
BR25H020F-WCE2 ROHM

获取价格

 		EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8
BR25H020F-WE2 ROHM

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 		HIGH GRADE Specification HIGH RELIABILITY ser
BR25H020F-WTR ROHM

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 		High Reliability Serial EEPROMs SPI BUS Serial EEPROMs
BR25H020-W ROHM

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 		HIGH GRADE Specification HIGH RELIABILITY ser
BR25H020-WC ROHM

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 		125C Operating tempter
BR25H020-WE2 ROHM

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 		HIGH GRADE Specification HIGH RELIABILITY ser
BR25H02ANUX-5AC (新产品) ROHM

获取价格

 		BR25H020xxx-5AC系列是支持SPI BUS接口的2Kbit串行EEPROM。

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