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BR25H020F-WCE2 PDF预览

BR25H020F-WCE2

更新时间： 2024-01-26 07:44:55
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
32页 1026K
描述
EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8

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BR25H020F-WCE2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SOIC
包装说明：LSOP, SOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.58
最大时钟频率 (fCLK)：5 MHz数据保留时间-最小值：40
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G8
长度：5 mm内存密度：2048 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：8
字数：256 words字数代码：256
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256X8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LSOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：AEC-Q100
座面最大高度：1.71 mm串行总线类型：SPI
最大待机电流：0.00001 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.003 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：4.4 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 ms写保护：HARDWARE
Base Number Matches：1

BR25H020F-WCE2 数据手册

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Datasheet  
Automotive Series Serial EEPROMs  
125°C SPI BUS ICs BR25xxxxFamily  
BR25Hxxx-WC Series  
(1K 2K 4K 8K 16K 32K)  
Description  
BR25Hxxx-WC series is a serial EEPROM of SPI BUS interface method.  
Features  
Packages W(Typ) x D(Typ) x H(Max)  
„ High Speed Clock Action Up to 5MHz (Max)  
„ Wait Function by HOLDB Terminal.  
„ Part or Whole of Memory Arrays Settable as Read  
Only Memory Area by Program.  
„ 2.5 to 5.5V single power source action most suitable  
for battery use.  
„ Page Write Mode Useful for Initial Value Write at  
Factory Shipment.  
„ Highly Reliable Connection by Au Pad and Au Wire.  
„ For SPI Bus Interface (CPOL, CPHA)=(0, 0), (1, 1)  
„ Auto Erase and Auto End Function at Data Rewrite.  
„ Low Current Consumption  
SOP8  
5.00mm x 6.20mm x 1.71mm  
¾
¾
¾
At Write Action (5V)  
At Read Action (5V)  
At Standby Action (5V) : 0.1µA (Typ)  
: 1.5mA (Typ)  
: 1.0mA (Typ)  
„ Address Auto Increment Function at Read Action  
„ Write Mistake Prevention Function  
SOP-J8  
4.90mm x 6.00mm x 1.65mm  
¾
¾
¾
¾
Write Prohibition at Power on.  
Write Prohibition by Command Code (WRDI).  
Write Prohibition by WPB Pin.  
Write Prohibition Block Setting by Status  
Registers (BP1, BP0)  
¾
Write Mistake Prevention Function at Low  
Voltage.  
TSSOP-B8  
3.00mm x 6.40mm x 1.20mm  
„ Data at Shipment Memory Array: FFh, Status  
Register WPEN, BP1, BP0 : 0  
„ Data Kept for 40 Years.  
„ Data Rewrite Up to 1,000,000 Times.  
„ AEC-Q100 Qualified  
Page Write  
Number of pages  
16 Byte  
32 Byte  
BR25H010-WC  
BR25H020-WC  
BR25H040-WC  
BR25H080-WC  
BR25H160-WC  
BR25H320-WC  
Product Number  
BR25Hxxx-WC Series  
Capacity  
Bit Format  
Type  
Power Source Voltage  
2.5 to 5.5V  
SOP8  
●
SOP-J8  
●
TSSOP-B8  
1Kbit  
128×8  
256×8  
512×8  
1K×8  
2K×8  
4Kx8  
BR25H010-WC  
●
●
●
●
●
2Kbit  
BR25H020-WC  
BR25H040-WC  
BR25H080-WC  
BR25H160-WC  
BR25H320-WC  
2.5 to 5.5V  
●
●
4Kbit  
2.5 to 5.5V  
●
●
8Kbit  
2.5 to 5.5V  
●
●
16Kbit  
32Kbit  
2.5 to 5.5V  
●
●
2.5 to 5.5V  
●
●
○Product structure：Silicon monolithic integrated circuit ○This product is not designed protection against radioactive rays  
.www.rohm.com  
TSZ02201-0R1R0G100060-1-2  
31.Oct.2013 Rev.002  
© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1/29  
TSZ22111・14・001  
1234567...32

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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