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BR25H020F-WCE2

更新时间： 2024-01-28 13:33:04
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
32页 1026K
描述
EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8

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BR25H020F-WCE2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SOIC
包装说明：LSOP, SOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.58
最大时钟频率 (fCLK)：5 MHz数据保留时间-最小值：40
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G8
长度：5 mm内存密度：2048 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：8
字数：256 words字数代码：256
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256X8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LSOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：AEC-Q100
座面最大高度：1.71 mm串行总线类型：SPI
最大待机电流：0.00001 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.003 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：4.4 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 ms写保护：HARDWARE
Base Number Matches：1

BR25H020F-WCE2 数据手册

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Daattaasshheeeett  
BR25Hxxx-WC Series (1K 2K 4K 8K 16K 32K)  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
Remarks  
Impressed Voltage  
VCC  
-0.3 to +6.5  
When using at Ta=25°C or higher, 4.5mW to be reduced per 1°C  
When using at Ta=25°C or higher, 4.5mW to be reduced per 1°C  
When using at Ta=25°C or higher, 3.3mW to be reduced per 1°C  
0.56 (SOP8)  
0.56 (SOP-J8)  
0.41 (TSSOP-B8)  
-65 to +150  
Permissible  
Dissipation  
Pd  
W
Storage Temperature Range  
Tstg  
Topr  
-
°C  
°C  
V
Operating Temperature  
Range  
-40 to +125  
Terminal Voltage  
-0.3 to VCC+0.3  
Caution: Operating the IC over the absolute maximum ratings may damage the IC. The damage can either be a short circuit between pins or an open circuit  
between pins and the internal circuitry. Therefore, it is important to consider circuit protection measures, such as adding a fuse, in case the IC is operated over  
the absolute maximum ratings.  
Memory Cell Characteristics (VCC=2.5V to 5.5V)  
Limits  
Parameter  
Unit  
Condition  
Ta≤85°C  
Min  
1,000,000  
500,000  
300,000  
40  
Typ  
Max  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Times  
Times  
Times  
Years  
Years  
Number of Data Rewrite Times (Note1)  
Ta≤105°C  
Ta≤125°C  
Ta≤25°C  
Data Hold Years (Note1)  
20  
Ta≤125°C  
(Note1) Not 100% TESTED  
Recommended Operating Ratings  
Parameter  
Power Source Voltage  
Input Voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
VCC  
VIN  
2.5 to 5.5  
0 to VCC  
Input / Output Capacity (Ta=25°C, Frequency=5MHz)  
Parameter  
Input Capacity (Note1)  
Output Capacity (Note1)  
Symbol  
Min  
Max  
8
Unit  
pF  
Conditions  
CIN  
-
-
VIN=GND  
COUT  
8
VOUT=GND  
(Note1) Not 100% TESTED  
Electrical Characteristics (Unless otherwise specified, Ta=-40°C to +125°C, VCC=2.5V to 5.5V)  
Limits  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Conditions  
Min  
0.7xVCC  
-0.3  
Typ  
Max  
VCC+0.3  
0.3xVCC  
0.4  
2.5V≤VCC≤5.5V  
2.5V≤VCC≤5.5V  
IOL=2.1mA  
“H” Input Voltage  
VIH  
VIL  
VOL  
VOH  
ILI  
-
-
-
-
-
-
V
V
“L” Input Voltage  
“L” Output Voltage  
“H” Output Voltage  
Input Leak Current  
Output Leak Current  
0
V
IOH=-0.4mA  
VCC-0.5  
-10  
VCC  
V
VIN=0 to VCC  
10  
µA  
µA  
VOUT=0 to VCC, CSB=VCC  
ILO  
-10  
10  
VCC=2.5V, fSCK=5MHz, tE/W=5ms  
VIH/VIL=0.9VCC/0.1VCC, SO=OPEN  
Byte write, Page write, Write status register  
VCC=5.5V, fSCK=5MHz, tE/W=5ms  
VIH/VIL=0.9VCC/0.1VCC, SO=OPEN  
Byte write, Page write, Write status register  
VCC=2.5V, fSCK=5MHz  
VIH/VIL=0.9VCC/0.1VCC, SO=OPEN  
Read, Read status register  
VCC=5.5V, fSCK=5MHz  
VIH/VIL=0.9VCC/0.1VCC, SO=OPEN  
Read, Read status register  
VCC=5.5V  
CSB=HOLDB=WPB=VCC, SCK=SI=VCC or =GND,  
SO=OPEN  
ICC1  
ICC2  
ICC3  
ICC4  
ISB  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0  
3.0  
1.5  
2.0  
10  
mA  
mA  
mA  
mA  
µA  
Current Consumption at Write  
Action  
Current Consumption at Read  
Action  
Standby Current  
www.rohm.com  
TSZ02201-0R1R0G100060-1-2  
31.Oct.2013 Rev.002  
© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2/29  
TSZ22111・15・001  
1234567...32

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