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BR25H020F-WCE2

更新时间: 2024-01-28 14:27:02
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
32页 1026K
描述
EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8

BR25H020F-WCE2 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:SOIC
包装说明:LSOP, SOP8,.25针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.58
最大时钟频率 (fCLK):5 MHz数据保留时间-最小值:40
耐久性:1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDSO-G8
长度:5 mm内存密度:2048 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:8
字数:256 words字数代码:256
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C组织:256X8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LSOP
封装等效代码:SOP8,.25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, LOW PROFILE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3/5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:AEC-Q100
座面最大高度:1.71 mm串行总线类型:SPI
最大待机电流:0.00001 A子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.003 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):2.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:4.4 mm
最长写入周期时间 (tWC):5 ms写保护:HARDWARE
Base Number Matches:1

BR25H020F-WCE2 数据手册

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Daattaasshheeeett  
BR25Hxxx-WC Series (1K 2K 4K 8K 16K 32K)  
Typical Performance Curves - continued  
Figure 10. Input Leak Current vs Supply Voltage  
Figure 11. Output Leak Current vs Output Voltage (Vcc=5.5V)  
Figure 13. Consumption Current at READ Operation  
vs Supply Voltage  
Figure 12. Current Consumption at WRITE Operation  
vs Supply Voltage  
www.rohm.com  
TSZ02201-0R1R0G100060-1-2  
31.Oct.2013 Rev.002  
© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
6/29  
TSZ2211115001  

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