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BR25H020F-WCE2

更新时间： 2024-01-29 15:13:52
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
32页 1026K
描述
EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8

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BR25H020F-WCE2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SOIC
包装说明：LSOP, SOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.58
最大时钟频率 (fCLK)：5 MHz数据保留时间-最小值：40
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G8
长度：5 mm内存密度：2048 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：8
字数：256 words字数代码：256
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256X8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LSOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：AEC-Q100
座面最大高度：1.71 mm串行总线类型：SPI
最大待机电流：0.00001 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.003 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：4.4 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 ms写保护：HARDWARE
Base Number Matches：1

BR25H020F-WCE2 数据手册

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Daattaasshheeeett  
BR25Hxxx-WC Series (1K 2K 4K 8K 16K 32K)  
Operating Timing Characteristics  
(Ta=-40°C to +125°C, unless otherwise specified, load capacity CL1=100pF)  
2.5≤VCC≤5.5V  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Min  
-
Typ  
-
Max  
SCK Frequency  
SCK High Time  
SCK Low Time  
CSB High Time  
CSB Setup Time  
CSB Hold Time  
SCK Setup Time  
SCK Hold Time  
SI Setup Time  
SI Hold Time  
fSCK  
tSCKWH  
tSCKWL  
tCS  
5
MHz  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
µs  
µs  
ns  
ns  
ms  
85  
85  
85  
90  
85  
90  
90  
20  
30  
-
-
-
-
-
-
-
-
tCSS  
tCSH  
tSCKS  
tSCKH  
tDIS  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
tDIH  
-
-
Data Output Delay Time1  
Data Output Delay Time2 (CL2=30pF)  
Output Hold Time  
tPD1  
tPD2  
tOH  
-
70  
55  
-
-
-
0
-
Output Disable Time  
tOZ  
-
-
100  
-
HOLDB Setting Setup Time  
HOLDB Setting Hold Time  
HOLDB Release Setup Time  
HOLDB Release Old Time  
Time from HOLDB to Output High-Z  
Time from HOLDB To Output Change  
SCK Rise Time (Note1)  
tHFS  
tHFH  
tHRS  
tHRH  
tHOZ  
tHPD  
tRC  
0
-
40  
0
-
-
-
-
70  
-
-
-
-
100  
70  
1
-
-
-
-
SCK Fall Time (Note1)  
tFC  
-
-
1
OUTPUT Rise Time (Note1)  
OUTPUT Fall Time (Note1)  
tRO  
-
-
50  
50  
5
tFO  
-
-
Write Time  
tE/W  
-
-
(Note1) NOT 100% TESTED  
Sync Data Input / Output Timing  
tCSS  
tCS  
tCS  
CSB  
SCK  
tSCKH  
CSB  
tSCKS  
tCSH  
tRC  
tFC  
tSCKWH  
tSCKWL  
tDIS  
SCK  
SI  
tDIH  
tPD  
tOH  
SI  
tRO,tFO  
tOZ  
High-Z  
SO  
High-Z  
SO  
Figure 1. Input Timing  
Figure 2. Input / Output Timing  
SI is taken into IC inside in sync with data rise  
edge of SCK. Input address and data from the  
most significant bit MSB.  
SO is output in sync with data fall edge of SCK.  
Data is output from the most significant bit MSB.  
AC Measurement Conditions  
CSB "H"  
"L"  
Limits  
Parameter  
Symbol  
Unit  
tHFS tHFH  
tHRS tHRH  
Min  
Typ  
Max  
100  
30  
SCK  
SI  
tDIS  
Load Capacity 1  
Load Capacity 2  
Input Rise Time  
Input Fall Time  
Input Voltage  
CL1  
-
-
-
-
-
-
-
-
pF  
pF  
ns  
ns  
V
n
n+1  
n-1  
CL2  
tHOZ  
Dn  
tHPD  
High-Z  
SO  
Dn+1  
Dn  
Dn-1  
-
-
-
50  
50  
HOLDB  
0.2VCC/0.8VCC  
0.3VCC/0.7VCC  
Figure 3. HOLD timing  
Input / Output  
Judgment Voltage  
-
V
www.rohm.com  
TSZ02201-0R1R0G100060-1-2  
31.Oct.2013 Rev.002  
© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
3/29  
TSZ22111・15・001  
1234567...32

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