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BR25H040F-2LBH2

更新时间： 2024-02-20 19:41:26

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
32页	997K
描述
EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDSO8, 5 X 6.20 MM, 1.71 MM HEIGHT, SOP-8

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BR25H040F-2LBH2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	5 X 6.20 MM, 1.71 MM HEIGHT, SOP-8	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	15 weeks	风险等级：	2.31
最大时钟频率 (fCLK)：	5 MHz	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
长度：	5 mm	内存密度：	4096 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	512 words	字数代码：	512
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512X8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
座面最大高度：	1.71 mm	串行总线类型：	SPI
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	4.4 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	4 ms
Base Number Matches：	1

BR25H040F-2LBH2 数据手册

Datasheet

Serial EEPROM Series Industrial EEPROM

125℃ Operation SPI BUS EEPROM

BR25H040F-2LB

General Description

This is the product guarantees long time support in Industrial market.

BR25H040F-2LB is a serial EEPROM of SPI BUS interface method.

Features

Package

W(Typ.) x D(Typ.) x H(Max.)

Long Time Support a Product for Industrial

Applications.

High speed clock action up to 10MHz (Max.)

Wait function by HOLDB terminal.

Part or whole of memory arrays settable as read only

memory area by program.

2.5V to 5.5V single power source action most

suitable for battery use.

Page write mode useful for initial value write at

factory shipment.

SOP8

For SPI bus interface (CPOL, CPHA)=(0, 0), (1, 1)

Self-timed programming cycle.

Low Supply Current

5.00mm x 6.20mm x 1.71mm

At write operation (5V)

At read operation (5V)

At standby operation (5V)

Address auto increment function at read operation

Prevention of write mistake

: 1.0mA (Typ.)

: 0.1μA (Typ.)

Application

Industrial Equipment

Write prohibition at power on.

Write prohibition by command code (WRDI).

Write prohibition by WPB pin.

Write prohibition block setting by status registers

(BP1, BP0).

Prevention of write mistake at low voltage.

Data at shipment Memory array: FFh, status register

BP1, BP0 : 0

More than 100 years data retention.

More than 1 million write cycles.

Page write

Number of pages

16 Byte

Product Number

BR25H040F-2LB

Capacity

Bit Format

Product Number

BR25H040F-2LB

Supply Voltage

2.5V to 5.5V

Package

SOP8

4Kbit

512×8

○Product structure：Silicon monolithic integrated circuit ○This product has no designed protection against radioactive rays

www.rohm.com

TSZ22111・14・001

TSZ02201-0R1R0G100320-1-2

27.Feb.2014 Rev.002

1/28

12 3 4 5 6 7...32

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