Datasheet > 存储 > SRAM> BQ4013YMA-85N

BQ4013YMA-85N

更新时间： 2024-01-07 04:08:21

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
14页	472K
描述
128Kx8 Nonvolatile SRAM

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BQ4013YMA-85N 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	85 ns
JESD-30 代码：	R-PDMA-P32	长度：	42.8 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP32,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	9.53 mm	最大待机电流：	0.004 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.105 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	PIN/PEG	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

BQ4013YMA-85N 数据手册

bq4013/Y

128Kx8 Nonvolatile SRAM

The bq4013/Y uses an extremely

Features

General Description

low standby current CMOS SRAM,

coupled with a small lithium coin

cell to provide nonvolatility without

long write-cycle times and the

write-cycle limitations associated

with EEPROM.

➤ Data retention for at least 10

The CMOS bq4013/Y is a nonvolatile

1,048,576-bit static RAM organized as

131,072 words by 8 bits. The integral

control circuitry and lithium energy

source provide reliable nonvolatility

coupled with the unlimited write cy-

cles of standard SRAM.

years without power

➤ Automatic write-protection during

power-up/power-down cycles

➤ Conventional SRAM operation,

The bq4013/Y requires no external

circuitry and is socket-compatible

with industry-standard SRAMs and

most EPROMs and EEPROMs.

including unlimited write cycles

The control circuitry constantly

monitors the single 5V supply for an

out-of-tolerance condition. When

➤ Internal isolation of battery be-

fore power application

➤ Industry standard 32-pin DIP

_CCfalls out of tolerance, the SRAM

pinout

is unconditionally write-protected to

prevent inadvertent write operation.

At this time the integral energy

source is switched on to sustain the

memory until after V_CCreturns valid.

Pin Connections

Pin Names

A₀–A₁₆

Address inputs

Write enable input

No connect

DQ₀–DQ₇Data input/output

Chip enable input

V_CC

V_SS

Supply voltage input

Ground

Output enable input

Selection Guide

Maximum

Negative

Supply

Tolerance

Maximum

Negative

Supply

Tolerance

Part

Number

Access

Part

Number

Access

Time (ns)

bq4013YMA -70

bq4013YMA -85

bq4013YMA-120

-10%

bq4013MA -85

bq4013MA-120

-5%

120

9/96 D

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BQ4013YMA-85	TI	类似代替	128Kx8 Nonvolatile SRAM

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BQ4013YMS-70N	TI	获取价格	128KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, DMA34, LCC-34
BQ4013YMS-85N	TI	获取价格	128KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 85ns, DMA34, LCC-34
BQ4014	TI	获取价格	256Kx8 Nonvolatile SRAM
BQ4014_08	TI	获取价格	256Kx8 Nonvolatile SRAM
BQ4014MB-120	TI	获取价格	256Kx8 Nonvolatile SRAM
BQ4014MB-85	TI	获取价格	256Kx8 Nonvolatile SRAM
BQ4014Y	TI	获取价格	256Kx8 Nonvolatile SRAM
BQ4014YMA-120	TI	获取价格	256KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 120ns, DMA32, MODULE, DIP-32
BQ4014YMA-85	TI	获取价格	256KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 85ns, DMA32, MODULE, DIP-32
BQ4014YMB-120	TI	获取价格	256Kx8 Nonvolatile SRAM

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