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BQ4011LYMA-70N PDF预览

BQ4011LYMA-70N

更新时间： 2024-01-09 03:09:36
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 158K
描述
IC 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDMA28, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-28, Static RAM

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BQ4011LYMA-70N 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：DIP, DIP28,.6针数：28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：8.6
最长访问时间：70 nsJESD-30 代码：R-PDMA-P28
长度：37.72 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM MODULE内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP28,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：9.53 mm
最大待机电流：0.001 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.03 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：PIN/PEG
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：18.415 mm
Base Number Matches：1

BQ4011LYMA-70N 数据手册

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bq4011/Y/LY  
www.ti.com  
SLUS118A–MAY 1999–REVISED MAY 2007  
DEVICE INFORMATION  
Table 1. TERMINAL FUNCTIONS  
TERMINAL  
I/O  
DESCRIPTION  
NAME  
A0  
NUMBER  
10  
9
I
A1  
I
A2  
8
I
A3  
7
I
A4  
6
I
A5  
5
I
A6  
4
I
A7  
3
I
Address inputs  
A8  
25  
24  
21  
23  
2
I
A9  
I
A10  
A11  
A12  
A13  
A14  
CE  
I
I
I
26  
1
I
I
20  
11  
12  
13  
15  
16  
17  
18  
19  
22  
28  
14  
27  
I
Chip-enable input  
Data input/output  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
OE  
VCC  
VSS  
WE  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I
Output enable input  
Supply voltage input  
Ground  
I
-
I
Write enable input  
FUNCTIONAL DESCRIPTION  
When power is valid, the bq4011/Y/LY operates as a standard CMOS SRAM. During power-down and power-up  
cycles, the bq4011/Y/LY acts as a nonvolatile memory, automatically protecting and preserving the memory  
contents.  
Power-down/power-up control circuitry constantly monitors the VCC supply for a power-fail-detect threshold VPFD  
.
The bq4011 monitors for VPFD = 4.62 V typical for use in 5-V systems with 5% supply tolerance. The bq4011Y  
monitors for VPFD = 4.37 V typical for use in 5-V systems with 10% supply tolerance. The bq4011LY monitors for  
VPFD = 2.90 V (typ) for use in 3.3-V systems.  
When VCC falls below the VPFD threshold, the SRAM automatically write-protects the data. All outputs become  
high impedance, and all inputs are treated as don't care. If a valid access is in process at the time of power-fail  
detection, the memory cycle continues to completion. If the memory cycle fails to terminate within time tWPT  
write-protection takes place.  
,
As VCC falls past VPFD and approaches VSO, the control circuitry switches to the internal lithium backup supply,  
which provides data retention until valid VCC is applied.  
2
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