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BQ4011-150

更新时间： 2022-04-23 23:00:11
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德州仪器 - TI 静态存储器
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13页 755K
描述
32Kx8 Nonvolatile SRAM

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BQ4011-150 数据手册

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bq4011/bq4011Y  
1,2  
Read Cycle No. 1 (Address Access)  
1,3,4  
Read Cycle No. 2 (CE Access)  
1,5  
Read Cycle No. 3 (OE Access)  
Notes:  
1. WE is held high for a read cycle.  
2. Device is continuously selected: CE = OE = VIL  
3. Address is valid prior to or coincident with CE transition low.  
4. OE = VIL  
5. Device is continuously selected: CE = VIL  
.
.
.
Aug. 1993 C  
5
12345678...13

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