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BQ4011LYMA-70N PDF预览

BQ4011LYMA-70N

更新时间： 2024-11-30 18:39:35
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 158K
描述
IC 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDMA28, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-28, Static RAM

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BQ4011LYMA-70N 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：DIP, DIP28,.6针数：28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：8.6
最长访问时间：70 nsJESD-30 代码：R-PDMA-P28
长度：37.72 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM MODULE内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP28,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：9.53 mm
最大待机电流：0.001 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.03 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：PIN/PEG
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：18.415 mm
Base Number Matches：1

BQ4011LYMA-70N 数据手册

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bq4011/Y/LY  
www.ti.com  
SLUS118A–MAY 1999–REVISED MAY 2007  
32 k × 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
•
•
•
•
Data Retention for at least 10 Years Without  
Power  
The CMOS bq4011/Y/LY is a nonvolatile 262,144-bit  
static RAM organized as 32,768 words by 8 bits. The  
integral control circuitry and lithium energy source  
provide reliable nonvolatility coupled with the  
unlimited write cycles of standard SRAM.  
Automatic Write-Protection During  
Power-up/Power-down Cycles  
Conventional SRAM Operation, Including  
Unlimited Write Cycles  
The control circuitry constantly monitors the single  
supply for an out-of-tolerance condition. When VCC  
falls out of tolerance, the SRAM is unconditionally  
write-protected to prevent an inadvertent write  
operation.  
Internal Isolation of Battery before Power  
Application  
•
•
5-V or 3.3-V Operation  
Industry Standard 28-Pin DIP Pinout  
At this time the integral energy source is switched on  
to sustain the memory until after VCC returns valid.  
The bq4011/Y/LY uses extremely low standby  
current CMOS SRAMs, coupled with small lithium  
coin cells to provide nonvolatility without long  
write-cycle times and the write-cycle limitations  
associated with EEPROM.  
The bq4011/Y/LY requires no external circuitry and is  
compatible with the industry-standard 256-kb SRAM  
pinout.  
PIN CONNECTIONS  
28−Pin DIP Module  
(TOP VIEW)  
A
A
A
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
V
CC  
14  
2
WE  
12  
3
A
13  
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
A
A
A
4
A
8
5
A
9
6
A
11  
A
A
7
OE  
8
A
10  
A
A
9
CE  
DQ  
10  
11  
12  
13  
14  
7
DQ  
DQ  
DQ  
V
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
6
5
4
3
SS  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas  
Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 1999–2007, Texas Instruments Incorporated  
1234567...15

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