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BPX90F

更新时间: 2024-11-08 22:26:07
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英飞凌 - INFINEON 半导体光电二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 244K
描述
Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode

BPX90F 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84最大暗电源:200 nA
安装特点:THROUGH HOLE MOUNT最高工作温度:80 °C
最低工作温度:-40 °C最长响应时间:0.0000013 s
最大反向电压:32 V半导体材料:Silicon
子类别:Photo Diodes表面贴装:NO
Base Number Matches:1

BPX90F 数据手册

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Silizium-Fotodiode  
Silicon Photodiode  
BPX 90  
BPX 90 F  
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.  
Wesentliche Merkmale  
Features  
Speziell geeignet für Anwendungen im  
Bereich von 400 nm bis 1100 nm (BPX 90)  
und bei 950 nm (BPX 90 F)  
Especially suitable for applications from  
400 nm to 1100 nm (BPX 90) and of 950 nm  
(BPX 90 F)  
Hohe Fotoempfindlichkeit  
High photosensitivity  
DIL-Plastikbauform mit hoher  
Packungsdichte  
DIL plastic package with high packing  
density  
Anwendungen  
Applications  
Industrieelektronik  
Industrial electronics  
“Messen/Steuern/Regeln”  
For control and drive circuits  
Typ  
Type  
Bestellnummer  
Ordering Code  
BPX 90  
Q62702-P47  
Q62702-P928  
BPX 90 F  
01.97  
Semiconductor Group  
1

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BPX90K INFINEON

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