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BPY12H1

更新时间: 2024-11-08 22:27:51
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英飞凌 - INFINEON 光电二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 172K
描述
Silicon-PIN-Photodiode

BPY12H1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.40.60.50
风险等级:5.06配置:SINGLE
最大暗电源:100 nAJESD-609代码:e0
标称光电流:0.1 mA安装特点:THROUGH HOLE MOUNT
功能数量:1最高工作温度:100 °C
最低工作温度:-50 °C光电设备类型:PIN PHOTODIODE
最长响应时间:0.000002 s最大反向电压:20 V
半导体材料:Silicon形状:ROUND
子类别:Photo Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

BPY12H1 数据手册

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Silizium-PIN-Fotodiode  
Silicon-PIN-Photodiode  
BPY 12  
BPY 12 H 1  
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.  
Wesentliche Merkmale  
Features  
Speziell geeignet für Anwendungen im  
Bereich von 400 nm bis 1100 nm  
Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns)  
Especially suitable for applications from  
400 nm to 1100 nm  
Short switching time (typ. 25 ns)  
Anwendungen  
Applications  
Industrieelektronik  
“Messen/Steuern/Regeln”  
Industrial electronics  
For control and drive circuits  

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