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BLV935

更新时间: 2024-11-24 22:39:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 87K
描述
UHF power transistor

BLV935 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT
包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6针数:6
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.65其他特性:HIGH RELIABILITY, WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):4 A
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F6元件数量:1
端子数量:6最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:70 W最大功率耗散 (Abs):70 W
最小功率增益 (Gp):9 dB认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BLV935 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BLV935  
UHF power transistor  
1995 Jun 29  
Product specification  

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