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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.72 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 75 V |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带： | L BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BLL1214-250,112 | NXP |
功能相似  |
BLL1214-250 |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BLL1214-250,112 | NXP |
获取价格 |
BLL1214-250 |
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| BLL1214-250R | NXP |
获取价格 |
LDMOS L-band radar power transistor |
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| BLL1214-250R,112 | NXP |
获取价格 |
BLL1214-250R |
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| BLL1214-35 | NXP |
获取价格 |
L-band radar LDMOS driver transistor |
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| BLL1214-35,112 | NXP |
获取价格 |
BLL1214-35 |
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| BLL1461 | BELLING |
获取价格 |
BLL1461 series are a group of positive voltage output, high precise, and low power consump |
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| BLL1575 | BELLING |
获取价格 |
BLL1575 series is a group of positive voltage output, low power consumption, low dropout v |
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| BL-L189BC | BETLUX |
获取价格 |
Round Tower Type LED lamp |
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| BL-L189BGC | BETLUX |
获取价格 |
Round Tower Type LED lamp |
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| BL-L189LRC | BETLUX |
获取价格 |
Round Tower Type LED lamp |
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