Datasheet > BLL1214-250,112

BLL1214-250,112

更新时间： 2024-02-05 19:16:11

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BLL1214-250,112 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.74
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	75 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

book, halfpage

M3D379

BLL1214-250

L-band radar LDMOS transistor

Product speciﬁcation

2003 Aug 29

Supersedes data of 2002 Aug 06

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BLL1214-250	NXP	功能相似	L-band radar LDMOS transistor

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BLL1214-250R	NXP	获取价格	LDMOS L-band radar power transistor
BLL1214-250R,112	NXP	获取价格	BLL1214-250R
BLL1214-35	NXP	获取价格	L-band radar LDMOS driver transistor
BLL1214-35,112	NXP	获取价格	BLL1214-35
BLL1461	BELLING	获取价格	BLL1461 series are a group of positive voltage output, high precise, and low power consump
BLL1575	BELLING	获取价格	BLL1575 series is a group of positive voltage output, low power consumption, low dropout v
BL-L189BC	BETLUX	获取价格	Round Tower Type LED lamp
BL-L189BGC	BETLUX	获取价格	Round Tower Type LED lamp
BL-L189LRC	BETLUX	获取价格	Round Tower Type LED lamp
BL-L189PGC	BETLUX	获取价格	Round Tower Type LED lamp