是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 包装说明: | ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.19 |
外壳连接: | SOURCE | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 65 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8.2 A |
最大漏极电流 (ID): | 8.2 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带: | S BAND | JESD-30 代码: | R-CDFP-F2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BLF6G38S-25,112 | ETC |
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RF FET LDMOS 65V 15DB SOT608B | |
BLF6G38S-25,118 | NXP |
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BLF6G38S-25 | |
BLF6H10L(S)-160 | NXP |
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RF Manual 16th edition | |
BLF6H10L-160 | NXP |
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RF Manual 16th edition | |
BLF6H10L-160,112 | NXP |
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BLF6H10L-160 | |
BLF6H10LS-160 | NXP |
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RF Manual 16th edition | |
BLF6H10LS-160,112 | NXP |
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BLF6H10LS-160 | |
BLF6H10LS-160,118 | NXP |
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BLF6H10LS-160 | |
BLF7 | LITTELFUSE |
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Axial Lead and Cartridge Fuses - Midget | |
BLF7G10L(S)-250 | NXP |
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RF Manual 16th edition |