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BLF7G10L-250

更新时间： 2024-11-23 08:58:11

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Power LDMOS transistor

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BLF7G10L-250 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.64	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (ID)：	56 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BLF7G10L-250 数据手册

BLF7G10L-250;

BLF7G10LS-250

Power LDMOS transistor

Rev. 1 — 25 February 2011

Objective data sheet

1. Product profile

1.1 General description

250 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from

920 MHz to 960 MHz.

Table 1.

Typical performance

Typical RF performance at T_case= 25 °C in a common source class-AB production test circuit.

Mode of operation

I_Dq

V_DS

(V)

P_L(AV)

(W)

G_p

η_D

(%) (dBc)

−32^[1]

ACPR

(MHz)

(mA)

2000

(dB)

2-carrier W-CDMA

920 to 960

[1] Test signal: 3GPP; test model 1; 64 DPCH; PAR = 7.5 dB at 0.01 % probability on CCDF per carrier.

Carrier spacing 5 MHz.

1.2 Features and benefits

Excellent ruggedness

High efficiency

Low R_thproviding excellent thermal stability

Designed for broadband operation (920 MHz to 960 MHz)

Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications

Designed for low memory effects providing excellent pre-distortability

Internally matched for ease of use

Integrated ESD protection

Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

1.3 Applications

RF power amplifiers for W-CDMA base stations and multi carrier applications in the

920 MHz to 960 MHz frequency range

12 3 4 5 6 7...10

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