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| Source Url Status Check Date： | 2013-06-14 00:00:00 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.63 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 65 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 34 A | 最大漏极电流 (ID)： | 34 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带： | S BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BLF6G27-45 | NXP |
获取价格 |
WiMAX power LDMOS transistor |
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| BLF6G27-45,112 | ETC |
获取价格 |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608A |
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| BLF6G27-45,135 | NXP |
获取价格 |
BLF6G27-45 |
|
| BLF6G27-75 | NXP |
获取价格 |
WiMAX power LDMOS transistor |
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| BLF6G27L(S)-40P | NXP |
获取价格 |
RF Manual 16th edition |
|
| BLF6G27L(S)-50BN | NXP |
获取价格 |
RF Manual 16th edition |
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| BLF6G27L-40P | NXP |
获取价格 |
RF Manual 16th edition |
|
| BLF6G27L-40P,112 | NXP |
获取价格 |
BLF6G27L-40P |
|
| BLF6G27L-40P,118 | ETC |
获取价格 |
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A |
|
| BLF6G27L-50BN | NXP |
获取价格 |
RF Manual 16th edition |
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