是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code: | unknown |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.86 |
Is Samacsys: | N | 最小击穿电压: | 800 V |
配置: | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | BRIDGE RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.1 V |
JESD-30 代码: | R-PSIP-W4 | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值正向电流: | 200 A | 元件数量: | 4 |
相数: | 1 | 端子数量: | 4 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 2.5 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 800 V | 最大反向电流: | 0.00001 µA |
子类别: | Bridge Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BL40931 | ETC |
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SINGLE PHASE MOULDED BRIDGES 0,8 AMP TO 1,5 AMP |
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BL40N25 | BELLING |
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BL40N25, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology |
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BL40N25 | BL Galaxy Electrical |
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250V, N Channel MOSFETs |
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BL40N30L | BELLING |
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BL40N30L, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technolog |
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BL4-10 | FRONTIER |
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4A BRIDGE RECTIFIER |
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BL4-10G | FRONTIER |
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4A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
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BL4-10G-LFR | FRONTIER |
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BL4-10G-LFR |
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BL4120WS | BL Galaxy Electrical |
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0.2A,120V,Surface Mount Small Signal Switching Diodes |
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BL4167-6L | BL Galaxy Electrical |
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N:2.6A, 30V, 0.9W, Dual MOSFETs P:-2.2A, -30V, 0.9W, Dual MOSFETs |
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BL41931 | ETC |
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SINGLE PHASE MOULDED BRIDGES 0,8 AMP TO 1,5 AMP |
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