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BGA2870

更新时间： 2024-10-28 08:52:47

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恩智浦 - NXP		放大器
页数	文件大小	规格书
18页	166K
描述
MMIC wideband amplifier Internally matched to 50 Ω

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BGA2870 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.81
Samacsys Description：	MMIC wideband amplifier	其他特性：	LOW NOISE
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	29.6 dB	最大输入功率 (CW)：	-16.5 dBm
最大工作频率：	2200 MHz	最小工作频率：
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER	端子面层：	Pure Tin (Sn)

BGA2870 数据手册

BGA2870

MMIC wideband amplifier

Rev. 2 — 29 April 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Silicon Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) wideband amplifier with internal

matching circuit in a 6-pin SOT363 plastic SMD package.

1.2 Features and benefits

Internally matched to 50 Ω

A gain of 31.1 dB at 500 MHz

Output power at 1 dB gain compression = 4 dBm

Supply current = 16.0 mA at a supply voltage of 2.5 V

Reverse isolation > 52 dB up to 750 MHz

Good linearity with low second order and third order products

Noise figure = 3.2 dB at 500 MHz

Unconditionally stable (K > 1)

No output inductor required

1.3 Applications

LNB IF amplifiers

General purpose low noise wideband amplifier for frequencies between

DC and 750 MHz

2. Pinning information

Table 1.

Pinning

Description

V_CC

Simplified outline

Graphic symbol

2, 5

GND2

RF_OUT

GND1

2, 5

RF_IN

sym052

12 3 4 5 6 7...18

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