BGA318

更新时间： 2024-11-23 22:27:39

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英飞凌 - INFINEON		射频和微波射频放大器微波放大器
页数	文件大小	规格书
4页	23K
描述
Silicon Bipolar MMIC-Amplifier (Cascadable 50 W-gain block 16 dB typical gain at 1.0 GHz 12 dBm typical P-1dB at 1.0 GHz)

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BGA318 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SOT-143, 4 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.12	Is Samacsys：	N
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	12 dB	最大输入功率 (CW)：	5 dBm
JESD-609代码：	e0	安装特点：	SURFACE MOUNT
端子数量：	4	最大工作频率：	1200 MHz
最小工作频率：		最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	TO-253	电源：	4.7 V
射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
表面贴装：	YES	技术：	BIPOLAR
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

BGA318 数据手册

BGA 318

Silicon Bipolar MMIC-Amplifier

Preliminary data

• Cascadable 50 Ω-gain block

• 16 dB typical gain at 1.0 GHz

• 12 dBm typical P

at 1.0 GHz

-1dB

• 3 dB-bandwidth: DC to 1.2 GHz

RF OUT/Bias

VPS05178

RF IN

Circuit Diagram

2, 4

GND

EHA07312

Type

Marking Ordering Code Pin Configuration

Package

BGA 318 BNs

Q62702-G0043 1 RFout/bias 2 GND 3 RFinput 4 GND SOT-143

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Device current

250

dBm

°C

Total power dissipation, T ≤ 99 °C

tot

RFin

R input power

Junction temperature

Ambient temperature

Storage temperature

150

-65 ...+150

stg

Thermal Resistance

Junction - soldering point

K/W

≤ 205

thJS

1) T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb

Semiconductor Group

Sep-04-1998

1998-11-01

Semiconductor Group

12 3 4

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