BFY196H

更新时间： 2024-11-04 22:10:39

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
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5页	409K
描述
HiRel NPN Silicon RF Transistor

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BFY196H 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-CRDB-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.29
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	EMITTER
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	1 pF
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	O-CRDB-F4	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	6500 MHz
Base Number Matches：	1

BFY196

HiRel NPN Silicon RF Trans is tor

• HiRel Dis crete and Microwave Semiconductor

• For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz.

• For linear broadband amplifiers

• Hermetically sealed microwave package

• f_T= 6,5 GHz

F = 3 dB at 2 GHz

•

Space Qualification Expected 1998

ESA/SCC Detail Spec. No.: 5611/006

Type Variant No. 07 (tbc.)

ESD: Electros tatic discharge sensitive device,

observe handling precautions!

Type

Marking Ordering Code

see below

Pin Configuration Package

Micro-X1

BFY196 (ql)

(ql) Quality Level:

P: Professional Quality,

H: High Rel Quality,

S: Space Quality,

Ordering Code:

Q62702F1684

on request

(see order instructions for ordering example)

S e miconductor Group

1 of 5

Dra ft B, S e pte mbe r 99

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BFY196P	INFINEON	获取价格	HiRel NPN Silicon RF Transistor
BFY196S	INFINEON	获取价格	HiRel NPN Silicon RF Transistor
BFY280	INFINEON	获取价格	HiRel NPN Silicon RF Transistor (HiRel Discrete and Microwave Semiconductor)
BFY280ES	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 8V V(BR)CEO \| 10MA I(C) \| SOT-173VAR
BFY280H	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 8V V(BR)CEO \| 10MA I(C) \| SOT-173VAR
BFY280P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 8V V(BR)CEO \| 10MA I(C) \| SOT-173VAR
BFY280S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 8V V(BR)CEO \| 10MA I(C) \| SOT-173VAR
BFY33	ONSEMI	获取价格	TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-5, BIP General Purpose Small Sign
BFY34	ONSEMI	获取价格	TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,1A I(C),TO-5, BIP General Purpose Small Signal
BFY39	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-18