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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BCY |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.2 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 |
| JEDEC-95代码： | TO-205AD | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 185 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFX85LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI |
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| BFX86 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device |
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| BFX86 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
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| BFX86 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 35V 3-Pin TO-39 Box |
|
| BFX86LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI |
|
| BFX87 | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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| BFX87 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
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| BFX87 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 50V 0.6A 3-Pin TO-39 |
|
| BFX87LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI |
|
| BFX88 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
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