是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-39 |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.31 |
最大集电极电流 (IC): | 0.6 A | 集电极-发射极最大电压: | 50 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 40 |
JEDEC-95代码: | TO-39 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | PNP | 最大功率耗散 (Abs): | 0.6 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 100 MHz |
最大关闭时间(toff): | 150 ns | 最大开启时间(吨): | 60 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BFX87LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI | |
BFX88 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors | |
BFX88 | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 | |
BFX88 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 3-Pin TO-39 | |
BFX88LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI | |
BFX89 | COMSET |
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WIDE BAND VHF/UHF AMPLIFIER | |
BFX89 | STMICROELECTRONICS |
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WIDE BAND VHF/UHF AMPLIFIER | |
BFX89 | INFINEON |
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NPN SILICON TRANSISTOR FOR RF BROADBAND AMPLIFIER | |
BFX89 | CENTRAL |
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NPN SILICON RF TRANSISTORS | |
BFX89 | NJSEMI |
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Video Amplifier |