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BFR30LT3

更新时间： 2024-11-15 19:55:39

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	138K
描述
TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

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BFR30LT3 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.29	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	25 V	FET 技术：	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：	1.5 pF	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BFR30LT3 数据手册

ON Semiconductort

BFR30LT1

BFR31LT1

JFET Amplifiers

N–Channel

2 SOURCE

1 DRAIN

GATE

CASE 318–08, STYLE 10

SOT–23 (TO–236AB)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain–Source Voltage

Gate–Source Voltage

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

(1)

Total Device Dissipation

225

T = 25°C

Derate above 25°C

1.8

556

300

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance Junction to Ambient

Total Device Dissipation

(2)

Alumina Substrate, T = 25°C

Derate above 25°C

2.4

417

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

DEVICE MARKING

T , T

–55 to +150

stg

BFR30LT1 = M1; BFR31LT1 = M2

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Gate Reverse Current

(V = 10 Vdc, V = 0)

GSS

—

0.2

nAdc

Vdc

Gate Source Cutoff Voltage

(I = 0.5 nAdc, V = 10 Vdc)

BFR30

BFR31

GS(OFF)

—

5.0

2.5

Gate Source Voltage

(I = 1.0 mAdc, V = 10 Vdc)

BFR30

BFR31

BFR30

BFR31

–0.7

—

–3.0

–1.3

–4.0

–2.0

Vdc

(I = 50 mAdc, V = 10 Vdc)

—

1. Device mounted on FR4 glass epoxy printed circuit board using the recommended footprint.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2001

361

Publication Order Number:

March, 2001 – Rev. 1

BFR30LT1/D

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BFR30R-STYLE-A	ALLEGRO	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A
BFR30R-STYLE-B	ALLEGRO	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A
BFR30R-STYLE-C	ALLEGRO	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A
BFR30R-STYLE-D	ALLEGRO	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A
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