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BFR31

更新时间: 2024-09-27 22:39:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 97K
描述
N-channel field-effect transistors

BFR31 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:7.56
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:25 V
最大漏极电流 (ID):0.01 AFET 技术:JUNCTION
最大反馈电容 (Crss):1.5 pFJEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.3 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BFR31 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BFR30; BFR31  
N-channel field-effect transistors  
Product specification  
1997 Dec 05  
Supersedes data of April 1991  
File under Discrete Semiconductors, SC07  

BFR31 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBFJ310LT1G ONSEMI

类似代替

JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel
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JFET Amplifiers(N-Channel)
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JFET Amplifiers(N-Channel)
BFR31LT1G ONSEMI

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JFET Amplifiers(N-Channel)
BFR31LT1G ROCHESTER

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25V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, LEAD FREE, CASE 318-08, 3 PIN
BFR31LT3 MOTOROLA

获取价格

25V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
BFR31R ALLEGRO

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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A