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BFG590TRL

更新时间: 2024-01-01 09:55:10
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恩智浦 - NXP 放大器射频光电二极管小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 50K
描述
TRANSISTOR Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal

BFG590TRL 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.76最大集电极电流 (IC):0.2 A
集电极-发射极最大电压:15 V配置:SINGLE
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):8000 MHz
Base Number Matches:1

BFG590TRL 数据手册

  

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