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BF513-T

更新时间: 2024-10-01 12:58:51
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
130页 9375K
描述
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal

BF513-T 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.15
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (ID):0.03 AFET 技术:JUNCTION
最大反馈电容 (Crss):0.4 pF最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BF513-T 数据手册

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RF Manual 16th edition  
Application and design manual  
for High Performance RF products  
June 2012  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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