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BDY26A

更新时间： 2024-01-24 17:46:53

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SEME-LAB		晶体晶体管
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2页	44K
描述
HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR

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BDY26A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-3, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	6 A	集电极-发射极最大电压：	180 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	75
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	10 MHz
Base Number Matches：	1

BDY26A 数据手册

BDY26A

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

HIGH CURRENT

NPN SILICON TRANSISTOR

25.15 (0.99)

26.67 (1.05)

6.35 (0.25)

9.15 (0.36)

FEATURES

10.67 (0.42)

11.18 (0.44)

1.52 (0.06)

3.43 (0.135)

•

HIGH SWITCHING CURRENTS

HIGH RELIABILITY

CECC SCREENING OPTIONS

SPACE QUALITY LEVELS OPTIONS

JAN LEVEL SCREENING OPTIONS

(case)

3.84 (0.151)

4.09 (0.161)

APPLICATIONS

7.92 (0.312)

12.70 (0.50)

•

SWITCHING REGULATORS

LINEAR APPLICATIONS

•

TO3 (TO204AA)

Pin 2 = Emitter

Pin 1 = Base

Case = Collector

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

T_CASE= 25°C unless otherwise stated

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector - Base Voltage

Collector - Emitter Voltage

Emitter – Base Voltage

Continuous Collector Current

Base Current

300V

180V

10V

I_B

P_tot

Total Power Dissipation at

T_case= 25°C

50W

Derate above 25°C

0.29 W/°C

200°C

-65 to 200°C

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature

T_stg

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both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use. Semelab

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