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BDB02CRLRA

更新时间： 2024-11-14 20:30:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
23页 334K
描述
500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN

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BDB02CRLRA 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.48Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：225
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

BDB02CRLRA 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
3
2
BASE  
1
1
2
EMITTER  
3
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Value  
–80  
Unit  
CASE 29–05, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AE)  
V
CEO  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
–80  
CES  
EBO  
V
–5.0  
–0.5  
Collector Current — Continuous  
I
C
Total Device Dissipation  
P
1.0  
8.0  
Watt  
mW/°C  
D
D
@ T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
Total Device Dissipation  
P
2.5  
20  
Watt  
mW/°C  
@ T = 25°C  
C
Derate above 25°C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
125  
50  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Voltage  
V
Vdc  
Adc  
(BR)CEO  
(I = –10 mA, I = 0)  
–80  
—
C
B
Collector Cutoff Current  
(V = –80 V, I = 0)  
I
CBO  
—
—
–0.1  
CB  
E
Emitter Cutoff Current (I = 0, V  
C
= –5.0 V)  
I
–100  
nAdc  
EB  
EBO  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
h
FE  
—
(I = –100 mA, V  
= –1.0 V)  
= –2.0 V)  
40  
25  
400  
—
C
CE  
CE  
(I = –500 mA, V  
C
(1)  
Collector–Emitter Saturation Voltage (I = –1000 mA, I = –100 mA)  
V
CE(sat)  
—
—
–0.7  
–1.2  
Vdc  
Vdc  
C
B
(1)  
Collector–Emitter On Voltage (I = –1000 mA, V  
C
= –1.0 V)  
V
BE(on)  
CE  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Current–Gain — Bandwidth Product (I = –200 mA, V  
CE  
= –5.0 V, f = 20 MHz)  
f
50  
—
—
MHz  
pF  
C
T
Output Capacitance (V  
= –10 V, I = 0, f = 1.0 MHz)  
C
30  
CB  
E
ob  
1. Pulse Test: Pulse Width  
300 s, Duty Cycle 2.0%.  
REV 1  
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
2–225  
1234567...23

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BDB02CRLRE MOTOROLA

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 		500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BDB02CRLRE ONSEMI

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 		500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN
BDB02CRLRF MOTOROLA

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 		500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BDB02CRLRM MOTOROLA

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 		500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BDB02CRLRM ONSEMI

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 		暂无描述
BDB02CZL1 ONSEMI

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 		500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN
BDB02D MOTOROLA

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 		One Watt Amplifier Transistors
BDB02D18 MOTOROLA

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 		500mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BDB02D5 MOTOROLA

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 		500mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BDB02DRL MOTOROLA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

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