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BDB02D

更新时间： 2024-11-03 22:27:27
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 141K
描述
One Watt Amplifier Transistors

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BDB02D 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.8
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
基于收集器的最大容量：30 pF集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：2.5 W
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzVCEsat-Max：0.7 V
Base Number Matches：1

BDB02D 数据手册

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by BDB02C/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
3
2
BASE  
1
1
2
EMITTER  
3
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
BDB02C  
–80  
BDB02D  
–100  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
CASE 29–05, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AE)  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
–80  
–100  
CES  
EBO  
V
–5.0  
Collector Current — Continuous  
I
C
–0.5  
Total Device Dissipation  
P
1.0  
8.0  
Watt  
mW/°C  
D
D
@ T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
Total Device Dissipation  
P
2.5  
20  
Watt  
mW/°C  
@ T = 25°C  
C
Derate above 25°C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
125  
50  
JA  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Voltage  
(I = –10 mA, I = 0)  
BDB02C  
BDB02D  
V
–80  
–100  
—
—
Vdc  
Adc  
(BR)CEO  
C
B
Collector Cutoff Current  
I
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= –80 V, I = 0)  
BDB02C  
BDB02D  
—
—
–0.1  
–0.1  
E
= –100 V, I = 0)  
E
Emitter Cutoff Current (I = 0, V  
C
= –5.0 V)  
I
—
–100  
nAdc  
—
EB  
EBO  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
h
FE  
(I = –100 mA, V  
(I = –500 mA, V  
C
= –1.0 V)  
= –2.0 V)  
40  
25  
400  
—
C
CE  
CE  
(1)  
Collector–Emitter Saturation Voltage (I = –1000 mA, I = –100 mA)  
V
CE(sat)  
—
—
–0.7  
–1.2  
Vdc  
Vdc  
C
B
(1)  
Collector–Emitter On Voltage (I = –1000 mA, V  
C
= –1.0 V)  
V
BE(on)  
CE  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Current–Gain — Bandwidth Product (I = –200 mA, V  
CE  
= –5.0 V, f = 20 MHz)  
f
50  
—
—
MHz  
pF  
C
T
Output Capacitance (V  
CB  
= –10 V, I = 0, f = 1.0 MHz)  
C
30  
E
ob  
1. Pulse Test: Pulse Width  
300 s, Duty Cycle 2.0%.  
Motorola, Inc. 1996  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BDB02D18 MOTOROLA

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 		500mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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BDB02DRL MOTOROLA

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