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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.77 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD933F | ISC |
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isc Silicon NPN Power Transistor |
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| BD933F | NXP |
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SILICON EPITAXIAL BASE POWER TRANSISTORS |
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| BD933M5EFJ-C (开发中) | ROHM |
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The BD9xxM5-C series are linear regulators us |
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| BD933M5WEFJ-C (开发中) | ROHM |
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The BD9xxM5-C series are linear regulators us |
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| BD933N1EFJ-C | ROHM |
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BD933N1EFJ-C是一款采用了Nano Cap™技术的低静态电流线性稳压器，非常适用 |
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| BD933N1G-C | ROHM |
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BD933N1G-C是一款采用了Nano Cap™技术的低静态电流线性稳压器，非常适用于直 |
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| BD933N1WEFJ-C | ROHM |
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BD933N1WEFJ-C是一款采用了Nano Cap™技术的低静态电流线性稳压器，非常适 |
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| BD933N1WG-C | ROHM |
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BD933N1WG-C是一款采用了Nano Cap™技术的低静态电流线性稳压器，非常适用于 |
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| BD933N5EFJ-C | ROHM |
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BD933N5EFJ-C is linear regulators using the Nano Cap™ topology designed as low curre |
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| BD933N5FP-C | ROHM |
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BD933N5FP-C is linear regulators using the Nano Cap™ topology designed as low curren |
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