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BD899T

更新时间: 2024-01-27 18:38:45
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摩托罗拉 - MOTOROLA 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 156K
描述
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

BD899T 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.75外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):8 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):750
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:70 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):1 MHz
Base Number Matches:1

BD899T 数据手册

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