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BD900

更新时间： 2024-01-20 15:10:19

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COMSET		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	107K
描述
SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

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BD900 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	750
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	70 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1 MHz
Base Number Matches：	1

BD900 数据手册

SEMICONDUCTORS

BD896 – BD898 – BD900 – BD902

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

PNP epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220

enveloppe. They are intended for use in output stages in audio equipment, general amplifiers,

and analogue switching application.

NPN complements are BD895 - BD897 - BD899 - BD901

Compliance to RoHS.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

BD896

BD898

BD900

BD902

BD896

BD898

BD900

BD902

BD896

BD898

-45

-60

-80

-100

-45

-60

V_CBO

Collector-Base Voltage

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-80

-100

V_EBO

-5

-8

BD900

BD902

BD896

BD898

BD900

BD902

BD896

BD898

BD900

I_C

Collector Current

I_B

Base Current

-300

BD902

T_c= 25°

T_a= 25°

P_T

Power Dissipation

Watts

°C

T_J

T_s

150

Junction Temperature

-65 to +150

Storage Temperature range

25/09/2012

COMSET SEMICONDUCTORS

1 | 4

12 3 4

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